A Low-Distortion Level-Shift Buffer Circuit Structure Applied to the Input Stage of Audio Amplifier
An audio amplifier, level shifting technology, applied in the direction of improving amplifiers to reduce nonlinear distortion, improving amplifiers to reduce noise effects, etc., can solve problems such as noise, limited application, nonlinearity, etc. The effect of eliminating signal distortion
- Summary
- Abstract
- Description
- Claims
- Application Information
AI Technical Summary
Problems solved by technology
Method used
Image
Examples
Embodiment Construction
[0013] 为了能够更清楚地理解本发明的技术页面,特举以下实施例详细说明。
[0014] see figure 1 所示,为本发明的应用于音频放大器输入级的低失真电平位移缓冲电路结构的电路图。
[0015] 在一种实施方式中,该应用于音频放大器输入级的低失真电平位移缓冲电路结构包括参考电流源、第一N型MOS场效应管(N1)、第二N型MOS场效应管(N2)、第一P型MOS场效应管(P1)、第二P型MOS场效应管(P2)电路模块、第三P型MOS场效应管(P3)、电阻(R1)和运算放大器。
[0016] 其中,所述的第一N型MOS场效应管(N1)的栅极和漏极短接并连接到所述的参考电流源的一端,所述的参考电流源的另一端连接电源;所述的第一N型MOS场效应管(N1)的源极和衬底接地;所述的第二N型MOS场效应管(N2)的栅极连接所述的第一N型MOS场效应管(N1)的栅极;所述的第二N型MOS场效应管(N2)的漏极连接所述的第一P型MOS场效应管(P1)的相互短接的栅极和漏极;所述的第二N型MOS场效应管(N2)的源极和衬底接地;所述的第一P型MOS场效应管(P1)的源极和衬底连接所述的电源;所述的第二P型MOS场效应管(P2)的栅极连接所述的第一P型MOS场效应管(P1)的栅极;所述的第二P型MOS场效应管(P2)的源极和衬底连接所述的电源;所述的第二P型MOS场效应管(P2)的漏极连接所述的第三P型MOS场效应管(P3)的源极和衬底,并为该电路结构的输出节点(Vout);所述的第三P型MOS场效应管(P3)的栅极为该电路结构的输入节点(Vin);所述的第三P型MOS场效应管(P3)的漏极连接所述的运算放大器的反向输入端,并通过所述的电阻(R1)接地;所述的运算放大器的正向输入端连接外部参考电压(Vx);所述的运算放大器的输出端连接所述的第一N型MOS场效应管(N1)和第二N型MOS场效应管(N2)的栅极。
[0017] 在一种较优选的实施方式中,所述的第一N型MOS场效应管(N1)与所述的第二N型MOS场效应管(N2)的沟道宽长比相同。所述的第一P型MOS场效应管(P1)与所述的第二P型MOS场效应管(P2)电路模块的沟道宽长比也相同。
[0018] 在一种更优选的实施方式中,所述的第二P型MOS场效应管(P2)电路模块由20至5...
PUM
Abstract
Description
Claims
Application Information
- R&D Engineer
- R&D Manager
- IP Professional
- Industry Leading Data Capabilities
- Powerful AI technology
- Patent DNA Extraction
Browse by: Latest US Patents, China's latest patents, Technical Efficacy Thesaurus, Application Domain, Technology Topic, Popular Technical Reports.
© 2024 PatSnap. All rights reserved.Legal|Privacy policy|Modern Slavery Act Transparency Statement|Sitemap|About US| Contact US: help@patsnap.com